Оператор прецизионной фотолитографии

2-й разряд.
Характеристика работ:

подготовка пластин кремния, заготовок масок, ситалловых, керамических, металлических и стеклянных пластин с маскирующим слоем перед нанесением светочувствительного покрытия (обезжиривание и декапирование, промывка, сушка);
нанесение и сушка светочувствительного покрытия; контроль качества выполненной работы (оценка клина проявления, неровности края, замеры линейных размеров с помощью микроскопа МИИ-4);
сушка заготовок в термостате;
удаление светочувствительного покрытия в случае необходимости;
формирование партии пластин для обработки на автоматизированном оборудовании;
разбраковка изделий по параметру неплоскостности, по внешнему виду, по номеру фотолитографии, по типономиналу;
химическая очистка и мытье посуды;
приготовление хромовой смеси
Должен знать:

наименование и назначение важнейших частей и принцип действия обслуживаемого оборудования (центрифуга, ванна, сушильный шкаф);
назначение и условия применения специальных приспособлений и приборов для контроля процесса;
основные свойства фоторезистов;
назначение и работу микроскопов;
состав и основные свойства светочувствительных эмульсий, правила хранения и использования их;
основные химические свойства применяемых материалов
Примеры работ:

1) детали листовые декоративные из меди и медных сплавов - изготовление методом фотохимического травления;
2) заготовки масок - обезжиривание, декапирование, промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя;
3) заготовки печатных плат - зачистка, декапирование, промывание, сушка;
4) заготовки пластин, прокладки, изготовленные методом фотохимфрезерования - обезжиривание, сушка;
5) маски, пластины, фотошаблоны - промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя, задубливание фотослоя;
6) микросхемы интегральные гибридные типа «Посол» - сушка и полимеризация фоторезиста;
7) микросхемы пленочные и металлизированные фотошаблоны - изготовление фотохимическим методом;
8) пластины полупроводниковые и диэлектрические, ферриты - обезжиривание, декапирование, промывание, сушка;
9) подложки ситалловые - снятие фоточувствительного слоя;
10) секла 700х700х3 - очистка и обработка ацетоном, полив вручную гравировальной жидкостью
Примечание:
3-й разряд.
Характеристика работ:

проведение фотолитографических операций по совмещению элементов рисунка топологии схемы на пластине с соответствующими элементами на фотошаблоне с точностью ±5 мкм на установках совмещения и экспонирования;
экспонирование, проявление и задубливание фотослоя, а также травление различных материалов (окиси кремния, металлов и многокомпонентных стекол, включая многослойные структуры из различных металлов) по заданным в технологии режимам;
контроль качества травления;
термообработка, отмывка фотошаблонов в процессе их эксплуатации;
приготовление растворов для проявления, травления;
фильтрация фоторезиста;
снятие фоторезиста в кислотах, органических растворителях;
защита поверхности пластин пассивирующей пленкой;
контроль качества клина, проявления и травления на микроскопах;
измерение вязкости фоторезиста
Должен знать:

назначение, устройство, правила и способы подналадки оборудования, приспособлений и инструмента (микроскопов, ультрафиолетовой и инфракрасной ламп, термостата, контактных термометров и вискозиметров);
режимы проявления фотослоев;
технологические приемы травления различных материалов (окись кремния, металлы и другое);
подбор времени экспонирования и травления;
основные свойства фоточувствительных эмульсий и их компонентов
Примеры работ:

1) заготовки масок, ферритовые металлизированные пластины - получение копии изображения схемы (экспонирование, проявление, дубление, окрашивание, промывание и так далее);
2) маски биметаллические - изготовление методом фотохимического травления;
3) микросхемы интегральные гибридные типа «Посол» - нанесение фоторезиста; проявление изображения; удаление фоторезиста;
4) микротрасформаторы планарные - проведение последовательного ряда фотохимических операций;
5) пластины - нанесение фоторезиста; ретушь фоторезиста в соляной кислоте;
6) пластины кремния - нанесение, сушка, совмещение некритичных фотогравировок; экспонирование, проявление, задубливание фотослоя;
7) платы печатные и пластины, изготовляемые методом фотохимфрезерования - проявление и удаление фоторезиста;
8) пленочные схемы СВЧ - проведение цикла фотолитографических операций;
9) подложки ситалловые - травление, экспонирование
Примечание:
4-й разряд.
Характеристика работ:

проведение всего цикла фотолитографических операций с разными материалами на одном образце с точностью совмещения ±2мкм;
травление многослойных структур (AL-MO-AL) и сложных стекол (ФСС, БСС);
подбор и корректировка режимов нанесения, экспонирования, проявления, травления в зависимости от применяемых материалов в пределах технологической документации;
отмывка фотошаблонов, нанесение, сушка фоторезиста, проявление, задубливание, травление на автоматических линиях;
определение толщины фоторезиста и глубины протравленных элементов с помощью профилографа, профилометра;
определение адгезии фоторезиста и плотности проколов с помощью соответствующих приборов;
замер линейных размеров элементов под микроскопом;
совмещение маски и фотошаблона по реперным модулям и элементам;
определение процента дефектных модулей на фотошаблоне в процессе эксплуатации;
ретушь копии схемы с помощью микроскопа;
аттестация геометрических размеров элементов на маске и пластине кремния с помощью микроскопов с точностью ±3мкм, на фотошаблоне - с точностью ±0,2мкм;
проведение процесса двухсторонней фотолитографии;
определение неисправностей в работе установок и автоматического оборудования и принятие мер к их устранению
Должен знать:

устройство, правила наладки и проверки на точность поддержания технологических режимов всех установок автоматов, входящих в технологическую линию фотолитографии;
правила настройки микроскопов;
способы приготовления и корректирования проявляющих и других растворов;
последовательность технологического процесса изготовления изделий (транзистора, твердой схемы);
причины изменения размеров элементов, неровности краев, недостаточной их резкости и методы их устранения;
фотохимический процесс проявления фоточувствительных эмульсий;
способы определения дефектов на эталонных и рабочих фотошаблонах;
основы электротехники, оптики и фотохимии
Примеры работ:

1) диоды, ВЧ-транзисторы, фотошаблоны с размерами элементов более или равными 10мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций
2) заготовки масок - электрохимическое никелирование;
3) микротранзисторы и твердые схемы - проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении;
4) микросхемы интегральные гибридные типа «Посол» - проведение процессов экспонирования с предварительным совмещением, травление;
5) микросхемы - проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении;
6) пластина - проведение полного цикла фотолитографических операций, защита фоторезистом; непланарная сторона пластины - защита;
7) пластины, фотошаблоны после фотолитографии - контроль качества поверхности под микроскопом МБС;
8) пластины ИС с размерами элементов более 10 мкм - контроль качества проявления, травления;
9) платы печатные, микросхемы СВЧ - травление;
10) подложки, подложки ситалловые, микросхемы СВЧ - нанесение фоторезиста с помощью центрифуги с контролем оборотов по графику; определение толщины слоя фоторезиста;
11) поликремний - проведение полного цикла фотолитографии;
12) проведение процесса фотолитографии для получения рельефа из напыленных металлов: ванадий + молибден + алюминий с предварительным совмещением заданной точности;
13) проекционная фотолитография - подбор экспозиции и резкости на установках проекционной фотолитографии;
14) сетки мелкоструктурные - изготовление методом фотолитографии;
15) сетки молибденовые и вольфрамовые - травление;
16) теневая маска для цветных кинескопов - контроль качества отверстий и поверхности под микроскопом; исправление дефектов под микроскопом;
17) фотошаблоны эталонные - изготовление;
18) фотошаблоны - контроль качества поверхности под микроскопом МБС или МБИ - 11; контроль размеров на соответствие с паспортными данными под микроскопом МИИ-4.
Примечание:
5-й разряд.
Характеристика работ:

проведение фотолитографических операций по изготовлению: теневых масок со сложной конфигурацией и ассиметричным расположением отверстий; совмещенных микросхем, состоящих из полупроводниковой активной подложки с напыленными пленочными элементами; выводных рам для интегральных схем, трафаретов и других узлов и деталей, требующих прецизионной обработки;
проведение фотолитографических операций на многослойных структурах с размерами элементов менее 10мкм с точностью совмещения ±1мкм;
выбор и корректировка оптимальных режимов проведения фотолитографических процессов в зависимости от типа подложки, применяемых материалов и результатов выполнения технологических операций, с которых поступает данное изделие;
работа на установке совмещения с точностью совмещения ±2мкм;
обслуживание установки совмещения; контроль освещенности рабочей поверхности, зазоров и давления;
определение величины рассовмещения комплекта эталонных и рабочих фотошаблонов, определение оптической плотности фотошаблонов на микроинтерферометре и микрофотометре, определение оптической прозрачности теневых масок на денситометре с точностью до 2 мкм Оценка качества фотолитографии ( качества травления, величины рассовмещения, неравномерности края, контроль соответствия топологии на пластине конструкторской документации);
нанесение светочувствительных эмульсий и проведение процесса фотоэкспонирования для получения заготовок маски и растворов цветного кинескопа.
Должен знать:

конструкцию, механическую, электрическую и оптическую схемы установок совмещения различных моделей;
правила определения режимов процесса прецизионной фотолитографии для изготовления твердых и совмещенных микросхем;
правила настройки и регулирования контрольно-измерительных приборов;
принцип действия и правила работы на установке сравнения фотошаблонов, микроинтерферометре, микрофотометре, денситометре;
способы крепления и выверки пластин для многократного совмещения;
основы физико-химических процессов фотолитографического получения микросхем
Примеры работ:

1) магнитные интегральные схемы - проведение полного цикла фотолитографических операций;
2) маски теневые и совмещенные микросхемы - проведение полного цикла фотолитографических операций с самостоятельной корректировкой режимов работы;
3) пластины БИС, ВЧ (СВЧ) транзисторов с размерами элементов менее 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций;
4) пластины, изготавливаемые методом химфрезерования - вытравливание контура с контролем процесса травления под микроскопом; контроль готовых пластин;
5) платы печатные и пластины, изготавливаемые методом химфрезерования - нанесение фоторезиста на заготовку с определением равномерности покрытия по толщине; экспонирование с предварительным совмещением фотошаблона;
6) транзистор, диоды - совмещение с точностью от 2 мкм и более;
7) фоторезист - фильтрация через специальные приспособления;
8) фотошаблоны - контроль качества под микроскопом с разбраковкой по 5-10 параметрам; изготовление на фотоповторителях;
9) фотошаблоны рабочие и эталонные - определение рассовмещения комплекта на установке сравнения фотошаблонов;
10) фотошаблоны эталонные - подготовка к контактной печати
Примечание:
6-й разряд.
Характеристика работ:

проведение всего цикла фотолитографических операций по изготовлению микросхем и пластин различных типов с размерами элементов менее 5 мкм и точностью совмещения ±0,5 мкм;
обслуживание всех видов установок совмещения, применяемых в прецизионной фотолитографии;
контроль качества проявленного и травленного рельефа, работа со всеми видами фоторезисторов (негативным и позитивным) с применением любых типов ламп ультрафиолетового свечения; самостоятельный подбор и корректировка режимов работы;
выявление и устранение причин, вызывающих низкое качество фотошаблонов в процессе их изготовления;
аттестация геометрических размеров элементов на маске с помощью микроскопов с точностью ±1 мкм;
изготовление сложных фотокопий масок и растров на пластинках из металла марки МП95-9 и стекла путем негативного и позитивного копирования с точностью совмещения оригиналов до 1-2 мкм
Должен знать:

конструкцию, способы и правила проверки на точность оборудования прецизионной фотолитографии различных типов;
химические и физические свойства реагентов и материалов, применяемых в работе;
методы определения последовательности и режимов фотолитографических процессов для микросхем, дискретных приборов различной сложности;
расчеты, связанные с выбором оптимальных режимов ведения процесса прецизионной фотолитографии;
методы определения пленок на интерферометрах
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ:

1) микротранзисторы и твердые схемы - проведение полного цикла фотохимических операций при изготовлении;
2) пластины БИС, СБИС, транзисторов, СВЧ-транзисторов с размерами элементов менее 5 мкм - контроль после задубливания, травления, фотолитографии; классификация по видам брака;
3) фотошаблоны образцовые прецизионные - изготовление опытных партий;
4) фотошаблоны эталонные - определение пригодности изготовленного комплекта для производства рабочих копий
Примечание:
7-й разряд.
Характеристика работ:

проведение полного цикла фотолитографического процесса по изготовлению сверхбольших интегральных схем (СБИС) с размерами элементов 2 мкм, точностью совмещения ±0,15 мкм и размером рабочего модуля 10х10 мм;
обслуживание установок совмещения и мультипликации всех типов, установок нанесения и сушки, проявления и задубливания фоторезиста на линии типа Лада-150 с программным управлением;
ввод коррекции на совмещение слоев, оценка значения масштаба и разворота на проекционной печати, качества совмещения внутри модуля и по полю пластины;
ввод рабочих программ для обеспечения автоматического режима работы оборудования;
определение дефектности фоторезиста и локализация узла оборудования, генерирующего дефекты;
измерение линейных размеров на автоматическом измерителе типа «Zeltz»;
входной контроль металлизированного промежуточного оригинала (МПО), подготовка его к работе, сборка и выдача в работу с двухсторонней защитой пелликлом
Должен знать:

конструкцию и принцип работы фотолитографического оборудования с программным управлением;
правила пользования автоматической системой управления движением пластин;
методы корректировки технологических режимов формирования фоторезистивных покрытий по результатам контроля основных характеристик фоторезиста и лака
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ:

1) металлизированные промежуточные оригиналы (МПО) - изготовление пробных отсъемов; контроль совмещаемости слоев;
2) пластины СБИС с размером элементов 2 мкм - проведение полного технологического цикла фотолитографических операций и контроль качества выполнения их перед проведением плазмо-химических процессов;
3) рамка контактная - проведение полного цикла фотолитографических операций;
4) шаблоны пленочные с допуском несовмещения 15 мкм - проведение полного технологического цикла фотолитографических операций
Примечание: