Оператор по наращиванию эпитаксиальных слоев
- Раздел ЕТКС
3-й разряд.
Характеристика работ:
ведение процесса наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев с определенными параметрами на установках эпитаксиального наращивания;
подготовка оборудования к работе, проверка оборудования на герметичность, загрузка и разгрузка подложек;
контроль и корректировка режима процесса наращивания;
проверка качества применяемых подложек, материалов;
ведение процесса газового травления;
замер температуры оптическим пирометром;
заправка испарителей SiCL4;
снятие и установка кварцевой оснастки на оборудовании различных типов;
проведение профилактики газовой системы;
замена баллонов
ведение процесса наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев с определенными параметрами на установках эпитаксиального наращивания;
подготовка оборудования к работе, проверка оборудования на герметичность, загрузка и разгрузка подложек;
контроль и корректировка режима процесса наращивания;
проверка качества применяемых подложек, материалов;
ведение процесса газового травления;
замер температуры оптическим пирометром;
заправка испарителей SiCL4;
снятие и установка кварцевой оснастки на оборудовании различных типов;
проведение профилактики газовой системы;
замена баллонов
Должен знать:
устройство важнейших частей, принцип действия установок эпитаксиального наращивания и контрольно-измерительных приборов;
свойства химикатов, применяемых для наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев;
реакции, происходящие на поверхности подложки в процессе наращивания;
влияние примесей на качество эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев;
способы градуирования ротаметров;
методы измерения и регулирования температуры процесса наращивания испарителей, охлаждения реактора;
правила работы с баллонами, магистральными газами и газовыми смесями
устройство важнейших частей, принцип действия установок эпитаксиального наращивания и контрольно-измерительных приборов;
свойства химикатов, применяемых для наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев;
реакции, происходящие на поверхности подложки в процессе наращивания;
влияние примесей на качество эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев;
способы градуирования ротаметров;
методы измерения и регулирования температуры процесса наращивания испарителей, охлаждения реактора;
правила работы с баллонами, магистральными газами и газовыми смесями
Примеры работ:
1) эпитаксиальные, поликристаллические, диэлектрические, металлические слои - наращивание однослойных структур
1) эпитаксиальные, поликристаллические, диэлектрические, металлические слои - наращивание однослойных структур
Примечание:
4-й разряд.
Характеристика работ:
ведение процесса наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев всех типов;
корректировка процесса наращивания по результатам контрольного процесса;
расчет скорости наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев;
расчет концентрации легирующей примеси;
карбидизация графитовых нагревателей (пьедесталов);
приготовление растворов SiCL4 с определенной концентрацией легирующей примеси;
определение неисправностей в установках
ведение процесса наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев всех типов;
корректировка процесса наращивания по результатам контрольного процесса;
расчет скорости наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев;
расчет концентрации легирующей примеси;
карбидизация графитовых нагревателей (пьедесталов);
приготовление растворов SiCL4 с определенной концентрацией легирующей примеси;
определение неисправностей в установках
Должен знать:
устройство и способы подналадки оборудования различных типов;
методы наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев и их свойства;
свойства полупроводниковых материалов; свойства газов;
методы измерения основных электрофизических и структурных параметров эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических структур;
устройство, назначение и условия применения приборов для контроля процесса, системы газораспределения и водяного охлаждения;
влияние концентрации легирующей примеси на параметры эпитаксиальных структур, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев;
основы электротехники в пределах выполняемой работы
устройство и способы подналадки оборудования различных типов;
методы наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев и их свойства;
свойства полупроводниковых материалов; свойства газов;
методы измерения основных электрофизических и структурных параметров эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических структур;
устройство, назначение и условия применения приборов для контроля процесса, системы газораспределения и водяного охлаждения;
влияние концентрации легирующей примеси на параметры эпитаксиальных структур, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев;
основы электротехники в пределах выполняемой работы
Примеры работ:
1) эпитаксиальные, поликристаллические, диэлектрические и металлические слои - наращивание структур со скрытыми слоями
1) эпитаксиальные, поликристаллические, диэлектрические и металлические слои - наращивание структур со скрытыми слоями
Примечание:
5-й разряд.
Характеристика работ:
ведение процессов наращивания многослойных эпитаксиальных структур, диэлектрических слоев;
наращивание сверхтонких поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев;
устранение разброса параметров слоев различными методами;
замена стаканов и настройка индукторов по температурному режиму на установках, использующих ВЧ-нагрев;
настройка температурного режима процесса на установках, использующих инфракрасные и другие виды нагрева;
задание режимов на электронной системе управления технологическим процессом
ведение процессов наращивания многослойных эпитаксиальных структур, диэлектрических слоев;
наращивание сверхтонких поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев;
устранение разброса параметров слоев различными методами;
замена стаканов и настройка индукторов по температурному режиму на установках, использующих ВЧ-нагрев;
настройка температурного режима процесса на установках, использующих инфракрасные и другие виды нагрева;
задание режимов на электронной системе управления технологическим процессом
Должен знать:
электрическую и газовую схему обслуживаемого оборудования, способы ее проверки, основные неисправности и методы их устранения;
режимы и правила проведения процессов для получения сложных и многослойных эпитаксиальных структур, поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев;
правила настройки и регулировки приборов для контроля процесса, основы теории процесса эпитаксиального наращивания;
правила работы с электронной системой управления технологическим процессом
Требуется среднее профессиональное образование.
электрическую и газовую схему обслуживаемого оборудования, способы ее проверки, основные неисправности и методы их устранения;
режимы и правила проведения процессов для получения сложных и многослойных эпитаксиальных структур, поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев;
правила настройки и регулировки приборов для контроля процесса, основы теории процесса эпитаксиального наращивания;
правила работы с электронной системой управления технологическим процессом
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ:
1) структуры многослойные эпитаксиальные - наращивание с заданными параметрами;
2) структура многослойная диэлектрик - полупроводник – наращивание;
3) слои тонкие эпитаксиальные - наращивание
1) структуры многослойные эпитаксиальные - наращивание с заданными параметрами;
2) структура многослойная диэлектрик - полупроводник – наращивание;
3) слои тонкие эпитаксиальные - наращивание
Примечание:
6-й разряд.
Характеристика работ:
самостоятельное ведение процессов получения эпитаксиальных, диэлектрических, поликристаллических и металлических слоев любого назначения на оборудовании различных типов;
проведение процессов, стимулированных плазмой, и процессов с использованием газообразных, жидкостных и твердых источников;
проведение экспериментальных и опытных работ по наращиванию слоев;
самостоятельная корректировка режимов в процессе работы;
расчет концентрации легирующей примеси, расчет скорости потоков паров и газов, температурных режимов;
задание и корректировка режимов на электронной системе управления технологическим процессом
самостоятельное ведение процессов получения эпитаксиальных, диэлектрических, поликристаллических и металлических слоев любого назначения на оборудовании различных типов;
проведение процессов, стимулированных плазмой, и процессов с использованием газообразных, жидкостных и твердых источников;
проведение экспериментальных и опытных работ по наращиванию слоев;
самостоятельная корректировка режимов в процессе работы;
расчет концентрации легирующей примеси, расчет скорости потоков паров и газов, температурных режимов;
задание и корректировка режимов на электронной системе управления технологическим процессом
Должен знать:
конструкцию, способы и правила наладки различных типов оборудования;
правила работы с электронной системой управления технологическим процессом;
методы прецизионной обработки полупроводниковых материалов;
методы расчета концентрации легирующей примеси;
особенности процессов диффузии и наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев;
конструкцию полупроводниковых приборов и твердых схем на основе эпитаксиальных структур;
основы теории полупроводников;
физические и химические основы технологических процессов наращивания
Требуется среднее профессиональное образование.
конструкцию, способы и правила наладки различных типов оборудования;
правила работы с электронной системой управления технологическим процессом;
методы прецизионной обработки полупроводниковых материалов;
методы расчета концентрации легирующей примеси;
особенности процессов диффузии и наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев;
конструкцию полупроводниковых приборов и твердых схем на основе эпитаксиальных структур;
основы теории полупроводников;
физические и химические основы технологических процессов наращивания
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ:
1) многослойные эпитаксиальные структуры - наращивание с различными заданными параметрами;
2) локальная эпитаксия - наращивание
1) многослойные эпитаксиальные структуры - наращивание с различными заданными параметрами;
2) локальная эпитаксия - наращивание
Примечание: