Оператор плазмохимических процессов

4-й разряд.
Характеристика работ:

ведение процесса травления полупроводниковых материалов, снятия фоторезиста, высаживания двуокиси кремния на различных типах плазмохимического оборудования;
ионно-плазменное нанесение пленок Fe2О3;
загрузка и выгрузка пластин кремния, стеклопластин, жидкокристаллических индикаторов;
определение неисправностей в работе установок и принятие мер по их устранению;
корректировка режимов плазмохимической обработки по контрольным измерениям;
регистрация и поддержание режимов плазмохимической обработки с помощью контрольно-измерительной аппаратуры;
контроль толщины нанесенной пленки, замер линейных размеров элементов микросхем с помощью микроскопа;
определение качества обработки пластин с помощью микроскопа и измерительных приборов
Должен знать:

устройство плазмохимических установок различных моделей, принцип их действия;
кинематику, электрические и вакуумные схемы;
правила настройки на точность обслуживаемого оборудования, устройство, назначение и применение контрольно-измерительных приборов и инструментов;
назначение процесса откачки и роль плазмообразующих сред в процессе обработки пластин;
способы и методы контроля степени вакуума;
основные свойства и характеристики плазмообразующих сред;
основы процесса плазмохимического травления;
оценку стойкости фоторезистивных масок к воздействию газоразрядной плазмы;
основные законы электротехники и вакуумной техники
Примеры работ:

1) кремниевые пластины - плазмохимическое высаживание SiO2 путем разложения и взаимодействия моносилана с кислородом в плазме высокочастотного разряда, определение толщины пленки SiO2 после нанесения по таблицам цветности;
2) мезо-структуры с фоторезистом - ионно-плазменное напыление диэлектрических пленок;
3) пластины - удаление фоторезиста на плазмохимических установках;
4) пластины кремния - плазмохимическое травление двуокиси кремния, лежащего на алюминии;
5) стеклопластины - ионно-плазменное нанесение Fe2О3
Индикаторы жидкокристаллические - удаление полиамида на плазмохимических установках.
Примечание:
5-й разряд.
Характеристика работ:

ведение процесса плазмохимической очистки пластин и материалов, нанесение двуокисных пленок на различных типах плазмохимического оборудования;
нанесение антиэмиссионных и эмиссионных покрытий ионно-плазменным или плазмо-дуговым методом;
напыление молибдена, алюминия ионно-плазменным методом;
подготовка и настройка оборудования на заданный режим работы;
согласование нагрузок генератора высокой частоты;
выявление причин неисправностей в вакуумных системах;
выявление причин отклонения скорости плазмо-химической обработки от заданной и их устранение;
корректировка режимов проведения процесса по результатам контрольных измерений;
контроль толщины микрослоев после обработки на микроинтерферометрах различных типов
Должен знать:

системы подачи и натекания газов;
основные процессы, происходящие при диссоциации в плазме молекул химически активных рабочих газов;
основы плазмохимического осаждения;
свойства пленок, подвергающихся плазмохимической обработке;
физические и химические основы технологических процессов в плазме;
методы определения глубины травления;
методы определения толщины окислов;
устройство и настройку интерферометров
Примеры работ:

1) пластины кремниевые - ионно-плазменное напыление молибдена, алюминия с добавками меди и кремния; травление, высаживание пленки SiO2 плазмохимическим методом, замер величины заряда, пробивного напряжения на ПНХТ, контроль толщины пленки на интерферометре, контроль качества поверхности на микроскопе;
2) пластины ситалловые - плазмохимическое осаждение пленки нитрида бора;
3) пленки нитрида бора - плазмохимическое травление;
4) фотошаблоны и пластины кремния - ионно-плазменное и плазмохимическое травление
Примечание:
6-й разряд.
Характеристика работ:

проведение процессов плазмохимической очистки, травления полупроводниковых материалов, металлов, металлических систем с использованием реагентов различных видов с заданной избирательностью травления;
определение скорости плазмохимического травления материалов;
самостоятельный подбор режимов очистки, травления, различных видов пленок в процессе фотолитографии в различных плазмообразующих средах;
отработка режимов плазмохимической обработки пластин с заданной точностью и соотношением скоростей травления;
оценка влияния плазменных обработок на параметры полупроводниковых приборов
Должен знать:

конструкцию вакуумных и газовых систем;
устройство и принцип работы ионных источников, плазмотронов и реакционноразрядных камер, методы их настройки и регулировки;
теорию плазмохимических процессов осаждения пленок, по обработке и травлению поверхности полупроводниковых пластин и материалов;
влияние качества обработки поверхности на характеристики полупроводниковых приборов;
правила определения режима работы плазмохимического оборудования различных типов для получения заданных параметров пленок;
основы теории плазмохимической обработки
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ:

1) кремниевые пластины - плазмохимическое травление Si3N4, AL2O3, ванадия
Примечание:
7-й разряд.
Характеристика работ:

проведение процессов плазмохимической очистки и травления полупроводниковых материалов на экспериментальном и опытном оборудовании
проведение многостадийных процессов травления.
плазмохимическое травление многослойных структур.
анизатропное травление поликремния.
сборка и разборка внутрикамерного устройства и его чистка.
отыскание течей вакуумных систем и принятие мер к их устранению.
Должен знать:

конструкцию экспериментального и опытного оборудования для проведения плазмохимических процессов;
правила ведения плазмохимического травления многослойных структур и ведения многостадийных процессов;
методы отыскания течей в вакуумных системах и способы их устранения и предупреждения
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ:

1) кремниевые пластины - плазмохимическое травление АL/SL; ASI/TIW;
2) кремниевые пластины - плазмохимическое травление ФСС, БФСС, SIО2 селективно к SI, ПКК при формировании контактов
Примечание: